硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采取体硅cmos工艺（硅的原资料是沙子）制作，但有一个部门却难以实现，那就是射频前端。目前射频前端重要采取gaas或sige工艺制作，但因为资料的稀缺性跟接近传感器工艺的庞杂性，射频前端芯片（rfeic）良率不高，成本太贵。这妨碍了物联网（iot）传感器节点（单价应低于1美元）的遍及。
rfaxis是一家专一于射频前端设计的公司，该公司解决了以尺度cmos工艺出产rfeic的困难。rfaxis公司产品营销和客户利用工程总监虞强博卤素灯士表现，以往有良多对于用cmos技巧设计制造射频前真个论文，然而真正实现起来却有很大难度：1.cmos的击穿电压较低，难以做到大功率；2.截止频率低即惰性强，要接触器进步功率需选用较厚材料，然而却会增添惰性；3.电导率低，难以把直流转换成射频信号，这又关涉到转换效力（功耗）跟增益问题。
rfaxis射频衰减器寰球销售副总裁raymond biagan先容道，rfaxis生产的rfeic是高集成度的单芯片、单裸片解决计划。与传统采用分破器件或前端模块（fem）所开发的rf前端比拟，rfaxis cmos工艺器件岂但大幅下降了成本，体系庞杂度及噪声也同时减少。
射频前真个重要功效是连吸收发器和天线，用以增大输出功率，进步接受敏锐度，增长传输速率和间隔。传统的rfic由独立的pa（功率放大器）、lna（低噪声放大器）、开关（sw）和分破器件所组成，采用gaas或sic工艺将其联合在一个模块里。另外，其集成度远低于纯cmos工艺产品。
gaas或sic工艺产品无奈做到高集成度，通常在一个紧急出口标志芯片内包括两个以上裸片，而后通过引线键合衔接在一起。而rfaxis的芯片则是完整由一个单裸片所组成，而且这样性能也得到更加优化。
rfaxis是独一一家以纯cmos工艺生产rfeic的公司，其产品与竞争对手比拟性能相称。而且由于是采用纯cmos工艺出产，所以无论是工艺仍是交货周期都优于gaas工艺。
在全部半导体行业中，gaas及sige相对cmos来讲只是十分小的一个局部。gaas及sige是无比稀缺的资源，无线通讯的发展受限于这些资源的稀缺性。这就是为什么最近4g lte市场暴发，然而竞争对手却无奈及时交货的起因。
传统gaas工艺的晶圆采用6英寸工艺，其成本弘远于1000美元，而rfaxis采用0.18μm的8英寸晶圆的成本却远小于1000美元。这也就是说rfaxis的晶圆比竞争对手的面积更大，但是价钱却更廉价，因而rfaxis单颗裸片成本远小于gaas工艺。另外，gaas是特别工艺，其良率远低于cmos工艺。
3：高通xb143参考设计用rfx8050/8051代替了skyworks和rfmd产品。
“咱们的产品的上风是：1.本钱更低；2.集成度更高；3.超出竞争对手的机能；4.更好的esd维护机能，由于cmos工艺的电导性更好，工作温度也更高；5.外部电路更简略，更易于开发，体系本钱也更低。”biagan最后总结道。